Корпорация Toshiba сообщила о разработке новой технологии создания полупроводников на основе германия, которая позволит в скором времени перейти на 16-нанометровый технологический процесс.

Переход на более тонкий техпроцесс позволит не только уменьшить размеры микросхем, но и понизить энергопотребление и тепловыделение.

В настоящее время микросхемы памяти выпускаются по нормам 32- и 43-нанометровых технологий, а при производстве процессоров применяется 45-нанометровый техпроцесс. Разработчики Toshiba утверждают, что, используя германид стронция, сумели произвести полевой транзистор MISFET (металл-диэлектрик-полупроводник, МДП) по 16-нанометровому техпроцессу.

В современных МДП-транзисторах для изготовления каналов применяется кремний, с помощью которого при дальнейшем уменьшении размеров транзисторов довольно сложно получить управляющий ток необходимой силы. В качестве одного из перспективных заменителей кремния с высокими характеристиками мобильности носителей заряда германий рассматривается давно, однако его внедрение сопряжено со значительными технологическими трудностями.

Производитель собирается представить документальные доказательства своей разработки и рассказать о ней более подробно на симпозиуме 2009 VLSI Symposia, который пройдет в Киото (Япония) в конце текущей недели.